SiC通常被用作磨料磨具行业，SiC陶瓷材料本身的介电常数很低（～10），通常被认为不适合作电容器材料。但由于其具有半导性和良好的导热性，近年来我们实验室尝试将其应用于边界层陶瓷电容器（GBBLC）领域，通过进行特殊的微观结构控制，获得了高介电常数，远高于传统的钛酸盐类介电材料，因而具有广阔的发展前景。但SiC-GBBLC仍存在高损耗等问题，且关于其介电性能仍缺乏相关的理论研究。本试验选用白鸽集团生产的α-SiC为主晶相，SiO₂-CuO作为晶界绝缘相，采用先溶胶凝胶后非均相沉淀的两步包裹法制备SiC-SiO₂-CuO复合粉体，分别进行了常压烧结、热压烧结和微波烧结等工艺。用Zeta电位仪测定包裹前后粉体表面电势的变化；SEM观察包裹粉体及烧结样品的微观形貌；通过DSC-TG技术了解复合粉体在加热过程中的物理和化学变化；XRD分析样品的相组成；介电性能由HP4192频谱仪进行测量。研究了烧结温度、烧结方式、边界层含量对材料介电性能的影响，以及介电性能的频率、温度特性。结果表明，采用两步包裹法可以得到具有良好核壳结构的SiC-SiO₂-CuO复合粉体。DSC-TG曲线分析结果表明：高温下SiC将与Cu反应生成铜硅化物Cu_6.69Si；随着温度的进一步升高，SiO₂中Si-O键发生断裂，更多Si的出现将促使Cu_6.69Si转变为Cu₃Si。样品最佳烧结温度在1300℃，低于此温度，样品中存在大量的气孔及大量单质铜；高于此温度，样品中存在大量玻璃相。1300℃烧结样品介电常数远高于其他温度烧结的，且具有较低的介质损耗。电容器具有较好的频率色散效应。60℃介温曲线上出现一明显的转折点，这可能与空间电荷极化有关。边界层含量35％（vol％）的样品介电常数远低于边界25％的，但具有较低的损耗，介温曲线上未出现转折点，说明样品中不存在大量的空间电荷极化。气孔、玻璃相均不利于空间电荷极化的形成。微波烧结样品具有较常压高的介电常数和低的介质损耗，可能与微波烧结能细化组织、减小缺陷尺寸有关。