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选用α-SiC(4-10μm)作为主晶相,SiO2-CuO作为晶界绝缘层,以两步包裹法制备SiC-SiO2-CuO复合颗粒。干压成型后,在不同温度下常压烧......
选用导热性能优良、半导化的(-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,......
SiC通常被用作磨料磨具行业，SiC陶瓷材料本身的介电常数很低（～10），通常被认为不适合作电容器材料。但由于其具有半导性和良好的导热性，近......
