随着DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM,双倍数据率同步动态随机存储器)广泛地应用到嵌入式系统芯片(SoC, System on a Chip),对于DDR SDRAM控制器接口的设计和时序收敛研究已经成为热点。一方面,随着芯片向多功能、高性能方向的飞快发展,整个系统对其主存储设备时钟频率的要求也越来越高,而且对大数据流的存储和处理也提出了更高的要求,因此采用什么样的数据通路设计无疑是DDR SDRAM接口设计的重点之一。另一方面,随着集成电路的飞速发展,芯片能否进行全面成功的静态时序分析(Static Timing Analysis)己成为其保证是否能正常工作的关键,尤其是进入到深亚微米芯片设计时代,信号完整性和工艺偏差也是在静态时序分析时必须要考虑的问题之一。同时DDR SDRAM的双倍数据率给接口时序的收敛提出了一种新的挑战,所以怎样的静态时序方法才能进行全面成功的时序分析将是保证芯片是否能满足功能和性能要求的另一个重点。本课题以一款90纳米手机基带芯片的DDR SDRAM控制器接口设计为背景,根据系统功能和技术要求,该芯片集成了英飞凌的一款156MHz DDR SDRAM,通过对DDR SDRAM接口关键信号和读写操作进行深入研究与分析,阐述了DDR SDRAM的接口特性和时序要求,论证了其控制器独特的时钟信号(CK/CK_N)、数据选取脉冲信号(DQS)、数据锁相环(DLL, Delay Lock Loop)以及读写通路的设计结构,得出了DDR SDRAM控制器的关键时序特性。同时利用Synopsys公司的静态时序分析软件PrimeTime,采用一种系统级的静态时序分析方法一内部路径法进行接口时序分析,对控制器接口在时序收敛过程中的时序约束和DDR SDRAM STAMP时序建模进行了具体的分析说明,特别是针对于独特的接口信号和数据通路电路的处理,以及对PCB走线、封装和外部负载影响的综合考虑。采用内部路径法对DDR SDRAM控制器接口时序收敛的验证是高效的、准确的、直观的、全面的,也是在进行其它类似控制器接口时序分析时值得借鉴的。