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Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池以其高效、低成本、抗辐射能力强、寿命长等优良特性引起了人们日益广泛的关注。在薄膜制备方法中,磁控溅射技术是一种被普遍采用的方法,因此,本文采用单靶直流脉冲磁控溅射技术制备CIGS薄膜,系统地研究沉积过程中的相关制备参数对CIGS薄膜性能的影响情况。本文在制备CIGS薄膜的过程中,主要研究电源参数,如溅射功率、溅射频率,以及基底温度等对薄膜物相结构、择优取向状态、成份、电学性能等的影响规律与机制。关于电源参数(即溅射功率和溅射频率)对CIGS薄膜状态及性能影响的研究表明,沉积速率(对应沉积电流)会严重影响薄膜的择优取向状态,当沉积速率大于22.5 nm/min时,所制备的CIGS薄膜具有(220)/(204)择优取向。此外,沉积速率及沉积电压均对薄膜的成份及电学性能具有重要影响。结果表明,即使未对基底加热,薄膜均具有单一的黄铜矿结构,所有沉积的CIGS薄膜的成份含量均偏离于靶材的成份含量;沉积速率对于Se元素和Ga的含量影响较小,但随沉积速率增加,In元素含量明显增加、而Cu元素含量明显降低;当溅射电压降低时,薄膜中Se元素和Ga元素含量明显增加,但In元素含量降低。基于单一元素溅射产额的半经验公式,对薄膜中各元素含量随溅射电压的变化进行了模拟估算,且模拟结果基本与实验结果相符合。鉴于模拟结果推测,影响薄膜中各元素含量的主要因素是各组元的本征属性,如表面束缚能(或升华能)、原子序数、原子质量等。关于电学性能的研究表明,当薄膜为贫Cu或接近化学计量比时,薄膜的载流子浓度较低,具有较高的电阻率。在磁控溅射制备CIGS薄膜的过程中,CIGS的晶化状态对其性能也起着至关重要的作用。本论文设计了一种新颖的基底加热方式,进一步研究了不同的基底温度对CIGS薄膜性能的影响。结果表明,在基底温度不超过400oC时,样品的物相结构为单一的黄铜矿结构。尤其是基底温度为400oC时,获得了具有较大晶粒、较为致密的CIGS薄膜。当基底温度为450oC时,薄膜形貌较为疏松。研究还表明,当基底温度在室温至400oC范围内,薄膜中的成份基本没有变化。此外,当未施加基底温度时,薄膜中择优取向为(220)/(204);当基底温度大于100oC时,薄膜中的择优取向转变为(112)。