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在电子技术应用广泛的现代社会,随着工艺尺寸的降低,对电子技术的可靠性要求日益增高。而电子技术最重要的部分就是集成电路,所以对集成电路的要求也日益增高。由于集成电路的速度较快并且具有高灵敏度,使得集成电路受辐射环境的影响较大。存储器作为集成电路重要的一部分,容易受辐射环境的影响并产生单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)效应,所以对具有抗辐照能力的存储器的研究变得更加重要。本文首先概述了 SRAM的整体架构和基本工作原理,然后从抗SEU方面,分析了 SRAM单元加固的几种方法,并分析了几种基于设计加固方法的抗辐照SRAM结构的优缺点。基于对现有结构的分析,提出两种14T抗辐照SRAM单元(RHU 14T单元和RHB 14T单元),并且通过使用源隔离技术有效的提高了单元抗SEU的能力。与RHD12T存储单元相比,提出的单元提高了写速度,降低了功耗。基于65nm体硅工艺,RHU 14T单元和RHB 14T单元结构在电源电压为1.2V时,通过HSPICE进行仿真。仿真结果显示,提出的14T单元电路和RHD 12T单元电路相比,写速度改善了约65%,功耗改善了约50%。此外,本文对单元结构进行了优化设计并对版图进行了重新规划,使得电路抗SEU的性能得以改善。为了进一步验证,在 LET=2MeV-cm2/mg、5MeV-cm2/mg、10MeV-cm2/mg、20 MeV-cm2/mg、40 MeV-cm2/mg 和 80 MeV-cm2/mg 时,使用 TCAD 软件对关键节点进行连续的垂直轰击。仿真结果显示,即使当LET=80 MeV-cm2/mg时,RHU 14T单元和RHB 14T单元存储的数据也不会发生翻转。除此之外,为了评估关断晶体管之间的电荷共享效应的强弱,根据版图的布局来选择粒子入射的角度,仿真结果表明,当LET=60MeV-cm2/mg,在入射粒子的轰击角度不同时关键节点受高能粒子轰击能够保持单元中存储的值不产生翻转。