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基于芯片效能提升与降低功率消耗等考虑0．13微米以下工艺绝缘材料对低介电系数（Low－K）绝缘材料需求持续升高，台积电2004年前四个月，0．13微米Low－K晶圆产出已达3万片，预计2004年上半年将达到单月1万片以上；联电预计2004年第三季?
IBM、联电将自90纳米导入Low-K工艺
【摘 要】
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基于芯片效能提升与降低功率消耗等考虑0．13微米以下工艺绝缘材料对低介电系数（Low－K）绝缘材料需求持续升高，台积电2004年前四个月，0．13微米Low－K晶圆产出已达3万片，预计2004年上半年
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