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得益于多晶硅PERC高效太阳电池与常规太阳电池产线良好的兼容性、低成本、提效较为明显等诸多优势,多晶硅PERC太阳电池近年来发展迅速。随着生产技术的优化升级,工业化量产的多晶硅PERC太阳电池转换效率与实验室转换效率的差距不断缩小,提效难度越来越大,然而另一方面多晶硅PERC太阳电池光衰幅度较大的问题一直没有得到很好的解决,其衰减率甚至超过5%,并且衰减速度随着辐照强度的增大、温度的升高而加快,多晶硅PERC太阳电池光照后的大幅度衰减导致发电量减少,给光伏发电使用客户带来巨大损失,不利于光伏行业的发展。本文分别对多晶硅PERC太阳电池的背钝化工艺以及不同的烧结条件和注入退火条件对多晶硅PERC电池光致衰减效应影响进行系统的研究,为多晶硅PERC电池的生产工艺和光衰抑制提供了参考。本文首先采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）沉积Al2O3/SiNx叠层钝化膜。通过改变沉积钝化膜的相关工艺参数系统研究了Al2O3膜厚、SiNx膜厚和SiNx折射率对晶硅表面钝化性能的影响,得出了Al2O3/SiNx叠层钝化膜的最佳工艺条件,结果表明叠层背钝化膜中当Al2O3膜厚为10.8 nm、SiNx膜厚为120 nm,SiNx折射率2.2时,多晶硅PERC电池背钝化效果最好,性能最优;同时对不同钝化膜条件的多晶硅PERC电池进行了光衰处理,结果表明改变背钝化膜条件基本不会影响多晶硅PERC电池的光衰幅度。其次通过调节链式烧结炉的工艺参数改变多晶硅PERC太阳电池的烧结条件,研究了烧结带速、烧结峰值温度和烧结曲线对多晶硅PERC太阳电池光衰效应的影响,结果表明除烧结带速外,烧结峰值温度和烧结曲线均对多晶硅PERC电池的光衰效应影响较大,一定条件下,光衰幅度随着烧结峰值温度的升高不断增大,随着烧结曲线中峰值温度位置的前移而不断减小,采用优化后的烧结曲线制备的多晶硅PERC电池45 h光衰处理后转换效率衰减幅度仅为2.30%,为多晶硅PERC电池的抗光衰研究提供了新的思路。最后本文通过改变光辐照退火炉工艺参数对辐照注入退火抑制多晶硅PERC电池光衰效应的工艺进行探讨,研究了光辐照退火时间、光辐照退火温度和光辐照退火光照强度对多晶硅PERC电池抗光衰效果的影响,找到了最佳的辐照注入退火条件;另外本文还对多晶硅PERC电池进行电注入退火处理,通过与未做任何处理的对比组对比发现,电注入退火处理也具有较为优异的抗光衰效果。