【摘 要】
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基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别
【机 构】
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中国科学院大学物理科学学院,北京航空航天大学物理科学与核能工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金(11574309,11504013),国家重点研发计划(2018YFA0305800)资助
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基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具
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