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采用反应磁控溅射工艺通过改变N2气流量比在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜。用原子力显微镜（AFM）观察薄膜表面形貌，并根据分形理论予以定量表征。结果表明：TiN薄膜的溅射模式与分形维数Df值的演化存在相关性。当N2气流量比由0．0％增加至4．0％时，TiN薄膜的溅射方式属于金属模式，Df保持不变；当N2气流量比继续增加至10．0％时，薄膜溅射方式转变为过渡模式，此时Df急剧减小；而当N2气流量比超过10．0％以后，薄膜溅射模式改变为氮化物模式，相应的Df轻微增加。