1.3 μm InGaAsP半导体激光器的电子辐照效应

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【摘要】

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1.3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统.为了扩大其应用至核环境和外层空间,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究.在电子能量为0.4～1.80MeV范围内,注量为1×1012～2×1016cm-2条件下进行辐照.在注量小于1×1015cm-2时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的.当辐照注量超过1×1015cm-2时激光器的输出功率则呈数量级下降,如镀以Y2O3-ZrO2膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高.

【作者】

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林理彬廖志君祖小涛王浙辉

【机构】

：

四川大学物理系"辐射物理及技术"重点实验室成都610064

【出处】

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中国激光

【发表日期】

：

2001年28期

【关键词】

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InGaAsp半导体激光器电子辐照 Y2O3-ZrO2膜 InGaAsP semiconductor laser electron radiation Y

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