一种新型集成荧光传感器设计与实现

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【摘要】

：

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器，该传感器采用P^＋／Nwell／Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器（CTIA）有源像素电路结构。传感器采用0．5μm CMOS

【作者】

：

施朝霞曹全君常丽萍

【机构】

：

浙江工业大学信息学院浙江省光纤通信技术重点研究实验室

【出处】

：

传感器与微系统

【发表日期】

：

2014年6期

【关键词】

：

荧光传感器双结深电容跨阻抗放大器灵敏度 fluorescence sensor double-junction CTIA sensitivit

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基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器，该传感器采用P^＋／Nwell／Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器（CTIA）有源像素电路结构。传感器采用0．5μm CMOS工艺实现，测试结果表明：双结深光电二极管在波长532nm时具有峰值灵敏度为2×10^-8A·m^2／w，CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243V／lx·s。该设计表明：采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电

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