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光学 精密工程2013年第21卷第4期 目录
【出 处】
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光学精密工程
【发表日期】
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2013年21期
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系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜，然后在氮气保护下对薄膜样品在200～500°C范围内进行退火处理。使用XRD、拉曼光谱、电子自旋共振和透射光谱测量等方法对薄膜样品进行了表征。结果显示，随着退火温度的升高，非晶硅薄膜结构有序度在短程和中程范围内得到改善，同时缺陷密度显著降低。当样品在400°C退火后，消光系数k由6.14×10-3下降到最小值1.02×10-3 （1000 nm），这是由于此时硅薄膜缺陷密
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用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn1-xFexSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙Eg随着Fe2 成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.Eg=2.722-2.2x(eV).
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High power diode-side-pumped 1 112-nm Nd:YAG laser based on master-oscillator power-amplifier system
We demonstrate a high power high beam quality diode-pumped 1 112-nm Nd:YAG master-oscillator poweramplifier (MOPA) laser system. To increase the extraction efficiency and output power, a four-pass amplifier scheme is employed. Finally, the injected laser
我们制成了一个带有电视摄象机的激光多普勒成象系统，并用它测定了矩形通道内各个截面上流体的速度分布。发现与常用的激光多普勒测速计相比较，这种系统具有诸如能方便地将流体的形象显示出来等优点。
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