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采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过APCVD工艺在Si(100)衬底上进行SiC薄膜生长时,严格控制缓冲层生长的工艺条件,即1 300°C碳化温度较高的C3H8饱和浓度,可以获得结晶质量良好的6H-SiC单晶外延层.利用SEM、X射线衍射能谱(XRD)及光致发光谱(PL)分析了薄膜微结构并讨论了其微观机制.