【摘 要】
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高长径比银纳米线是全印制电子技术中的关键材料之一。采用紫外-可见分光光度法研究了银纳米线制备过程中的变化,用XRD、SEM研究了产物晶体结构及形貌,讨论了模板剂的用量及
【机 构】
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电子科技大学应用化学系,奈电软性科技电子(珠海)有限公司,
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高长径比银纳米线是全印制电子技术中的关键材料之一。采用紫外-可见分光光度法研究了银纳米线制备过程中的变化,用XRD、SEM研究了产物晶体结构及形貌,讨论了模板剂的用量及溶液p H值对纳米银形貌的影响。结果表明,以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,采用一步水热法可制备出长度为50μm、直径为40 nm的银纳米线。在模板剂浓度为5.8×10–3 mol/L、溶液p H值=11的实验条件下,可获得高长径比为1 300的银纳米线。
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