【摘 要】
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基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片.该芯片的移相器采用磁耦合
【机 构】
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石家庄军代室,石家庄050052;国防大学联合勤务学院,北京100032;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
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基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集成电路(MMIC)芯片.该芯片的移相器采用磁耦合全通网络(MCAPN)结构,功率分配器则使用集总元件进行集成,不仅缩小了芯片面积,并且在超宽带下实现了较好的相位精度和幅度一致性.采用微波探针台对芯片进行在片测试,结果表明在0.5-2.7 GHz,芯片性能良好:其小信号RF输入功率为0 dBm,芯片的插入损耗不大于7 dB,幅度波动在±0.8 dB以内,相位差为-98°～-85°,输入电压驻波比(VSWR)不大于1.9 ∶ 1,输出VSWR不大于1.9 ∶ 1,在-5 V电源下驱动器的静态电流为1 mA,响应速度为25 ns.芯片尺寸为3.4 mm×1.8 mm.该电路具有响应速度快、功耗低、集成度高等特点,可应用于多波束天线系统中.
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