事件：　　继硅（S i）引导的第一代半导体和砷化镓（G a A s）引导的第二代半导体后，以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）、氧化锌（Z n O）、金刚石、氮化铝（A l N）为代表的第三代半导体材料闪亮登场并已逐步发展壮大。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率和更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，因而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。从目前第三代半导体材料和器件的研究来看，较为成熟的是碳化硅SiC和GaN半导体材料，而ZnO、金刚石和AlN等宽禁带半导体材料的研究尚属起步阶段。