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为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs（100）衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱（SIMS）及透射电镜X光谱（EDX）测试得出：GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH3压的升高而减小,在As2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源M