气态源分子束外延相关论文
目前,在硅基光电集成领域,一个重要的研究方向是,以Si材料为基础,将以Ⅲ-Ⅴ族化合物为代表的光电子器件集成在一片Si衬底上,从而兼......
毫米波固态器件和电路是电子装备固态化、小型化、相控阵化和智能化的核心器件，也是无线通信和无线传感网络发展的关键器件，属于国家......
本学位论文工作围绕面向空间遥感InP基探测器材料这一主题，以改善短波红外探测器性能为目标，发展并优化了短波红外探测器的结构，并初......
采用气态源分子束外延法成功地生长了ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结合金材料，所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷。高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重......
采用 GSMBE技术 ,在材料表征和分析的基础上 ,通过优化生长条件 ,生长出高性能In0 .4 9Ga0 .51P/ Ga As异质结双极晶体管 (HBT)微......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条......
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3 μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2.5......
设计并制作了以Si1N4作增透膜的Si基Ge量子点红外探测器．采用气态源分子束外延（GSMBE）方法在Si（100）衬底上生长了20层的自组织Ge量子点．......
中科院上海微系统与信息技术研究所科研人员针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收，不利于阵列规模提高及同质......
针对波长扩展器件中InGaAs线性缓冲层对所需探测光有较强吸收不利于阵列规模提高和同质pn结不利于探测性能提高的问题，依据微系统所......
设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变......
通过对气态源分子柬外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs／InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较，研究了聚酰亚......
用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料，采用双台面结构制造了SiGe/SiNPN异质结晶体管，在发射结条宽为4μm，面积为4μm×18μm的......
以四溴化碳（CBr4）作为碳掺杂源．采用气态源分子束外延（GSMBE）技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂P型GaAsSb材料．通过改变CBrt压力，研......
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延（GSMBE）技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH3......
报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-P......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2~3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索,包括采用赝配三角形量子阱方案的2~2.......
采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。......
报道了InAs／GaAs量子点激光器GSMBE生长，激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。AFM显微图像显示相同生长条件下的未覆......
介绍了我们基于InP衬底采用无锑材料体系开展的2～3μm波段激光器及光电探测器方面的持续探索，包括采用赝配三角形量子阱方案的2～2．5μm......
研究了Si在AlxGa1-xAs（0≤z≤1）中的掺杂行为．为比较Al组份对Si掺杂浓度的影响，在用气态源分子束外延生长（GSMBE）掺Sin型AlxGa1-xAs（0≤x......
异质结双极晶体管（HBT）是光纤通信和无线通信系统中的关键器件之一，有着广阔的应用前景，对它的研究具有重要的学术意义和实际价值。为......
本学位论文围绕量子级联激光器（QCL）的材料生长、特性和气态源分子束外延（GSMBE）技术为主线展开。本文针对量子级联激光器对InP基、GaA......
本论文围绕长波长垂直腔面发射激光器进行器件设计、单元材料生长、器件结构材料生长及其表征。 从麦克斯韦方程得到了光的波动......
干法刻蚀和离子注入是半导体光电器件制作过程中广泛使用的基本工艺过程。虽然干法刻蚀和离子注入工艺都有各自的优点，但他们也都可......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
垂直腔面发射激光器（VCSEL）因具有在片测试、与光纤耦合效率高、调制速率高和功耗低等优点而有可能成为今后光网络中最有竞争优势的......
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室......
设计并生长了一种新的InGaP／GaAs／InGaPDHBT结构材料，采用在基区和集电区之间插入n^＋-InGaP插入层结构，以解决InGaP／GaAs／InGaPDHBT集电结......
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DB......
