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对于单板钴源而言，现有源棒排列优化方法都针对辐射加工，难以满足电子学器件耐辐照考核实验对剂量场均匀性较高的要求。通过建立数学模型，对基于改进型贪心算法进行求解，实现了源棒排列优化。算法采用贪心算法策略，以使参考辐照面剂量率不均匀度最小为约束条件来确定源棒位置；参考经验法来限制求解空间，利用枚举法改善初始条件、放置顺序对排源结果的影响，以增大算法的全局搜索能力。算例结果表明：针对耐辐照考核实验，获得了参考面剂量率不均匀度≤1．02条件下的源棒排列，满足使用要求，排源效果优于经验法，效率提高约100倍；针对辐