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本文介绍一种高性能2.0umBiCNIOS工艺.该工艺采用P型衬底,N型P型双埋层,N型薄外延结构,掺杂多晶作为CMOS晶体管栅极和双极晶体管的发射极.CMOS晶体管源漏自对准结构,钛和铝双层金属作为元件互连和PECVDSiNx介质作为钝化薄膜.用该工艺研制的23级与非门环型振荡器单级门延迟时间达3ns.