脉冲准分子激光扫描沉积（PLD）高c轴取向V2O5／Si薄膜及结构分析

来源 :硅酸盐学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：z7120

【摘要】

：

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2O5薄膜，经300 ℃以上退火处理得到了具有高c-轴取向生长的V2O5薄膜. 300 ℃以上热退火处理的薄膜表面

【作者】

：

方国家刘祖黎王又青周远明姚凯伦

【机构】

：

华中科技大学物理系,华中科技大学物理系,华中科技大学,襄樊学院,华中科技大学物理系

【出处】

：

硅酸盐学报

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

五氧化二钒薄膜高c-轴取向脉冲准分子激光沉积结构 AnnealingPolycrystalline materialsPulsed laser depos

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采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术，在Si(111)单晶衬底上沉积了多晶V2O5薄膜，经300 ℃以上退火处理得到了具有高c-轴取向生长的V2O5薄膜. 300 ℃以上热退火处理的薄膜表面具有正常的化学计量比(无氧缺位)，晶粒间界明显，晶粒呈针棒状，晶粒尺寸在100～200 nm之间. 采用X射线衍射(XRD)、Raman光谱(RS)、Fourier红外光谱(FT-IR)及透射电镜扫描附件(STEM)对沉积及不同温度下退火处理的样品进行了结构分析. 研究结果表明：V2O5/Si薄膜经400 ℃热处理后表

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