双AlN插入层法在Si图形衬底上进行AlGaN/GaN HEMT的MOCVD生长

来源 :长春理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:zzhang123
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双AlN插入层方法被用来在Si(111)图形衬底上进行AlGaN/GaN高迁移率晶体管(HEMT)的金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长。Si图形衬底采用SiO2掩膜和湿法腐蚀(无掩膜)两种方法进行制备。高温生长双AlN插入层用来释放GaN外延层和Si衬底之间由于晶格失配和热失配而产生的张应力。AlGaN/GaN HEMT的生长特性被讨论和分析。在使用优化的双AlN插入层之前,可以在图形[1-100]方向观察到比[11-20]方向更多的由于应力而引起的裂纹。这是由于GaN在(1-100)面比(11
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