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本文研究了具有薄隐埋层的超薄体SOI器件,讨论了超薄体SOI器件以及减小隐埋层有利于器件短沟道特性的改善。在此基础上通过使用medici软件仿真,进一步得到结论,通过添加接地层(GP),有利于抑制漏致势垒变低效应对器件特性的影响。并借助仿真分析了不同结构的GPSOI器件特性上的区别。
含接地层的薄隐埋层超薄SOI器件特性研究
【摘 要】
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本文研究了具有薄隐埋层的超薄体SOI器件,讨论了超薄体SOI器件以及减小隐埋层有利于器件短沟道特性的改善。在此基础上通过使用medici软件仿真,进一步得到结论,通过添加接地
【机 构】
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江苏信息职业技术学院
【出 处】
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科技传播
【发表日期】
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2012年18期
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