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掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争
掺杂KNSBN晶体中的电子—空穴竞争
来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:taorong19880903
【摘 要】
:
通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性,首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子-空穴竞争,根据耦合波理论,指出,响应时间越快的晶体,电子-空穴竞争越激烈,因而导致净调制折射率越小,衍射
【作 者】
:
李艳秋
周耕夫
【机 构】
:
HarbinInstofTechnology
【出 处】
:
光学学报
【发表日期】
:
1996年7期
【关键词】
:
电子-空穴竞争
KNSBN
晶体
光折变
electron-hole competition
KNSBN crystal
【基金项目】
:
国家科委863高科技项目,,哈工大科研基金
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通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性,首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子-空穴竞争,根据耦合波理论,指出,响应时间越快的晶体,电子-空穴竞争越激烈,因而导致净调制折射率越小,衍射效率赵低,最后,分析了空穴产生的原因,并估算有效载流子浓度为10^15/cm^3量级。
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