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用直流气体放电活化反应蒸发及光刻技术，在普通玻璃衬底上制备出开放式薄膜型ＣｕＯ／ＺｎＯ半导体ｐｎ结，该ｐｎ结的Ｉ－Ｕ曲线呈整流特性，在室温下，正向伏安特性曲线随相对湿度的变化而改变。相对湿度增加，ｐｎ结的正向电流增大，而反向电流的变化可忽略，ｐｎ结的偏压不同，相对湿度变化所引起的电流变化不同。这种湿敏特性是由于对薄膜刻蚀图案形成的开放式ｐｎ结部分暴露天大气的结果。