立方相SiC MEMS器件研究进展

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sherpa

【摘要】

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主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可

【作者】

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杨挺孙国胜吴海雷闫果果宁瑾赵永梅刘兴防罗木昌

【机构】

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中国科学院半导体研究所,半导体材料科学中心,北京,100083;中国科学院半导体研究所,半导体集成技术工程研究中心,北京,100083;中国电子科技集团公司第四十四研究所,重庆,400060

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

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2010年7期

【关键词】

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立方相碳化硅 MEMS器件基本结构加工工艺测试结果可靠性

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主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视.随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化.

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