SiO2对Tb3+掺杂ZnO1-xSx发光材料性能的影响

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采用溶胶凝胶-沉淀法,制备以ZnO1-xSx-SiO2为基质掺杂Tb3+发光材料,并通过激发光谱、发射光谱以及红外光谱、X射线衍射等手段研究了材料的发光性质和结构,重点研究了SiO2掺入对发光材料发光性能的影响.结果 表明:SiO2的掺入能显著地提高ZnO1-xSx-SiO2 ∶Tb3+发光材料的发光性能,并确定其最佳激发波长为377nm,最佳退火温度为800℃.结构研究确定了ZnO1-xSx-SiO2 ∶Tb3+发光材料中主要存在Si—O—Si键、Zn—S键和Si—O4基团,属于晶态.最后依据结构对材料发光机理进行了推测.
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