【摘 要】
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分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理，研究了影响开关速度的主要因素，提出了驱动电路的设计方法。分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素，并与SiC二极管进
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分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理，研究了影响开关速度的主要因素，提出了驱动电路的设计方法。分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素，并与SiC二极管进行比较。通过器件开关特性测试平台，分别将级联GaN HEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析，与SiC二极管进行反向恢复特性对比分析，定量比较了GaN HEMT与CoolMOS和SiC二极管在无桥PFC中的性能。分析验证了器件封装技术对GaN开关性能的影响，指出了高速器件封装技术的发展方向。
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