【摘 要】
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采用液相电化学沉积法 ,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液 ,以镀有 ITO(铟锡氧化膜 )的导电玻璃为衬底制备了 CNx 薄膜 .初步探讨了沉积温度和沉积电压对薄膜中氮含量的影响 .通
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采用液相电化学沉积法 ,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液 ,以镀有 ITO(铟锡氧化膜 )的导电玻璃为衬底制备了 CNx 薄膜 .初步探讨了沉积温度和沉积电压对薄膜中氮含量的影响 .通过 XPS、 FTIR光谱、SEM和 US-Vis光谱对得到的 CNx 薄膜的化学结合状态、结构形貌和光学性质进行了表征 ,并用高电阻仪对薄膜的绝缘性进行了分析 .XPS结果表明 ,CNx 薄膜中碳氮主要以单键连接 ,sp3 杂化的 C— N键占 85 % .在 IR光谱中 ,仅出现了 C—N键和 C N双键的吸收峰 .SEM图谱显示 CNx 薄膜呈颗粒状 ,粒径平均为80 nm左右 .在水浴加热条件下沉积的 CNx 薄膜在 2 0 0～ 30 0 nm近紫外区为非线性吸收 .薄膜的电阻率随氮含量的增加而增大 ,测量值在 1 0 1 2～ 1 0 1 6Ω·cm之间 .
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