【摘 要】
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采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论.PECVD法在连续沉积氮化
【机 构】
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采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)法在大尺寸玻璃基板上沉积氮化硅薄膜,对薄膜性能进行了研究,并从微观角度对所得结论进行了进一步分析与讨论.PECVD法在连续沉积氮化硅薄膜时,薄膜的厚度、沉积速率、均一性以及致密度会随镀膜基板数变化.结果 表明,随镀膜基板数量的逐渐增加,氮化硅薄膜平均厚度呈上升趋势,均一性变好,薄膜致密度呈下降趋势.
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