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用强流脉冲电子束技术对两种取向的单晶Si片进行了表面轰击，对电子束诱发的表面形貌进行了分析。实验结果表明，当能量密度-3J／cm^2时，轰击表面开始形成大量的熔坑。能量密度～4J／cm^2时，表面开始出现微裂纹，微裂纹的形态与单晶Si的晶体取向密切相关；强流脉冲电子束轰击能够诱发表层强烈的塑性变形，[111]取向单晶Si表面出现剪切带结构，而[001]取向单晶Si表面变形结构则以微条带为主；此外，变形区域内还出现大量〈100nm的微孔洞形貌，这些微孔洞的形成为制备表面多孔材料提供了可能。