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高Q值的片上集成电感是单片集成射频电路、微波电路中不可缺少的重要元件。衬底损耗、金属损耗及电感螺旋线之间磁通量的相互抵消是限制集成电感品质的主要因素。首次提出了一种利用常规硅工艺实现的新型立体集成电感设计，先在介质层上刻蚀出一个锥形柱面，然后在凹面上镀金属层，利用平面螺旋电感的制造方法，就可制造出立体电感；分析了该集成电感在金属损耗及电感螺旋线之间磁通量的相互抵消等多方面的优势；提出了该型集成电感的两种仿真模型；利用ASITIC软件近似仿真发现该型集成电感能获得较高Q值。