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利用RF磁控溅射法制备了Pb（Zr，Ti）O3（PZT）铁电薄膜，利用X射线衍射（XRD）法研究了薄膜的相组成及溅射工艺参数对薄膜织构的影响。结果表明，在小靶基距时，过高溅射功率不利于获得纯钙钛矿相的PZT铁电薄膜。溅射功率及溅射气压影响PZT薄膜的织构及其织构散漫度，提高溅射气压及溅射功率，（111）织构漫散度随之提高。在靶基距为80mm时，选择150W、0．7Pa的溅射工艺可获得具有最佳（100）织构的PZT薄膜。