【摘 要】
：
本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.
This paper analyzes the reasons for the low breakdo
论文部分内容阅读
本文分析了MOS器件漏耐压低的原因,实现高耐压的途径和高耐压MOS器件的结构,最后着重介绍了偏置栅高压MOS IC的应用.
This paper analyzes the reasons for the low breakdown voltage of MOS devices, the way to achieve high withstand voltage and the structure of high voltage MOS devices. Finally, the application of high voltage MOS IC with bias gate is emphatically introduced.
其他文献
桦树用途广是速生树种之一,并具有抗旱能力。此树种育苗方法大致与杨树育苗方法相同。在过去由于没有掌握住其育苗技术和管理不当,而没有育好苗。我市郭家营子苗圃,在党的领
1959年,全区共采种16,219,264市斤,其中树籽14,549,846市斤,育苗139,355亩,其中群众育苗100,955亩,预计产成苗35亿株。这些种苗,不仅保证了1959年造林治沙事业的继续跃进,也
用干电池作万用电表欧姆档的电源时,由于电池的不断放电,以致于不能调零。为了在规定的电动势变化范围内,能保证始终调零,一般都设有调零电路。目前,国产万用表的欧姆档,几
本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即在基底温度为265℃、射频源一定功
This ar
本文提出一种测定硅片上蒸发金属或半导体超薄薄膜厚度(小于15nm)的新方法。该方法基于测量薄膜的电子背向散射强度,所用的入射电子能量为18keV。对金薄膜,实验得到的膜厚分
本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变
我们大队是一个山多田少的大山区,土质大部分是青砂砾土壤,适宜油桐生长,群众历来有种油桐的习惯。现有桐林面积6480亩,每人平均10亩,桐油最高年产36000斤,产值占农业总产值
针对我国长久以来形成的主要依赖社会固定资产投资及低附加值出口拉动经济的增长模式,产业结构调整和核心竞争力培养就成为下一阶段各地保增长的重要任务。针对上述问题,本文
本文简要介绍国内外高速路隧道健康监测系统的技术发展现状,以实际工程为背景,并结合目前先进的隧道监测技术和分析技术,得出监测结果,为施工提供安全参考,为工程的优化设计
历时18天的全国林业会议,3月30日胜利闭幕。来自林业战线的1,000多名代表,意气风发,斗志昂扬。大家一致表示,要在华主席为首的党中央领导下,以揭批“四人帮”为动力,鼓干劲,