器件研究相关论文
编者按碳是一种神奇的元素.除了大家熟知的钻石,还可以呈现从零维(富勒烯)、一维(碳纳米管)到二维(石墨烯)的稳定结构.这些结构的......
本文报道了一种采用融锥耦合器和滤光器混联技术制作的１．３１／１．５５μｍ高性能单模光纤波分复用器。文中介绍了该器件的光学特性和环境稳定性的测......
集成光电子学联合国家重点实验室是由清华大学、吉林大学和中国科学院半导体研究所三家单位联合组建的,于1987年开始建设,1991年......
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏......
利用退火质子交换技术对工作波长为１．３１μｍ的Ｘ－切、Ｙ－传ＬｉＮｂＯ３单模光波导进行了实验研究与分析；测试了不同交换时间（ｔｅ）与退火时间（ｔａ）条件下的光波导近场模......
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性......
基于氧化镍纳米颗粒薄膜电变色机理的研究,利用Li_xTaO_v薄膜作为Li~+离子无机固体电解质薄膜,没计和制造了一种NiO/WO_3互补型电......
报道了采用光学铌酸锂晶体作声光介质，氧化锌压电薄膜相位阵列换能器制作的高频宽带声光布喇格器件。达到的主要结果是：中心频率２．２５ＧＨｚ，瞬时......
本文对紫外写入光纤光栅的应用前景与制备技术作了简要描述，并介绍了国内外紫外光纤光栅技术的发展状况。
In this paper, we brie......
报道了三氧化钨和氧化镍两种电致变色膜及氧亚甲基聚环氧乙烷锂离子固体电解质构成的电致变色窗的制作。测量了３５０－１０００ｎｍ波长范围内的透过光......
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常......
采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．
The surface passivation of In0.53Ga0......
应用范围极广的“８６３”重点项目“氮化物蓝光、绿光ＬＥＤ及ＬＤ器件”取得重大突破，低成本、高成品率的氮化物研制成功，标志着我国在该领域已处于......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K～623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAs......
南京电子器件研究所研制成功工作频率３．１～３．４ＧＨｚ，脉冲宽度３００μｓ，占空比１０％，输出功率大于５０Ｗ，功率增益大于７ｄＢ，效率大于４０％的硅脉冲功率晶体管。该器件在脉冲宽度为......
介绍了新型压电晶体四硼酸锂的压电和声表面波特性，讨论了四硼酸锂晶体基片声表面波器件的制作工艺，总结了近年来四硼酸锂晶体压电器......
为了研制出高性能的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ异质结器件，生长出适合器件应用的应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ材料，利用自行研制的超高真空化学气相沉积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）设备，研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ生长速度以及组份随ＧｅＨ４流......
中韩半导体物理和器件应用联合学术研讨会于1998年9月14～16日在安徽省黄山市举行．研讨会虽然规模不大，但涉及的内容几乎覆盖了当前半......
围绕传统型横向高压器件ＬＩＧＢＴ存在的关断时间较长和闩锁电流密度较小等缺点，本文对近年来提出的一系列新型结构的ＬＩＧＢＴ作了较系统的分析与对比......
着重介绍了硅ＭＥＭＳ加工技术中的表面牺牲层技术及其应用，并给出了我国ＭＥＭＳ 发展的概况。
The surface sacrificial layer technology and it......
叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别......
现代的电力电子技术无论对改造传统工业(电力、机械、矿冶、交通、化工及轻纺等),还是对新建高技术产业(航天、激光、通信及机器......
利用光纤矩阵方法和高斯光学的耦合损耗理论 ,对波分复用器件的自聚焦透镜耦合系统进行了分析 ,得出了一种优化设计耦合系统的分析......
据《Semiconductor FPD World》2003年第12期报道,美国IBM公司开发了超薄型SiGe双极晶体管(HBT)。该HBT与原技术相比,半导体芯片......
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出......
最近国家自然科学基金重大项目“有机/聚合物光电信息材料与器件”通过专家验收。项目承担单位有吉林大学、复旦大学、清华大学、......
美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上......
为加强超声电子学和军用电子系统的学科性相互渗透,促进两学科的发展,中国声学学会超声电子学分科学会和中国电子学会电子对抗学......
据《Simeconductor FPD World》2009年第11期报道,由于金刚石材料具有5.5 eV带隙的优异特性,作为低碳器件已引起人们的关注。目前......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
在高纯半绝缘(HPSI)衬底上外延生长了SiC材料,自主开发了SiC MESFET器件制作工艺,实现了单胞栅宽27 mm芯片的制作。优化了芯片装配......
为了提高基于绝缘体上的硅(SOI)技术实现的横向扩散金属氧化物半导体器件(SOI LDMOS)的击穿电压,提出了斜埋氧SOI LDMOS(S SOI LDM......
聚酰亚胺是一类重要的高性能聚合物,具有优良的热性能、机械性能和电学性能.近年来,芳香性聚酰亚胺作为新型光电功能材料在有机太......
设计了一种太赫兹量子阱光电探测器(THz-QWP),并利用该器件研究了多体效应。通过表征和分析器件的光电流谱,发现多体效应改变了器......
介绍了一种毫米波GaN基HEMT器件大信号等效电路模型。该模型采用SDD的建模方法。提出了I-V及C-V表达式,完成了直流及S参数的拟合,......
当电子器件基本单元--晶体管的尺寸进入到亚纳米尺度,量子效应将越来越显著。探索极端尺度下的晶体管器件并研究其性能和物理机理,......
鉴于MEMS器件与技术日趋成熟和在实用化方面不断取得新的进展,继2009年12期出版了“MEMS器件与技术”专辑后,本年度计划2010年12期......
由沈家骢院士主持的国家自然科学基金“九五”跨科学部重大项目有机／聚合物光电信息材料与器件研究”，自１９９７年启动以来，经过科研人员两年......
由中科院长春分院、长春光学精密机械与物理研究所、长春应用化学研究所等单位主办的稀土发光材料与器件最新进展学术研讨会8月17......
