【摘 要】
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采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒膜层,构建了无绝缘层和添加Alq3为绝缘层的两类ZnO发光器件,测试和比较了两类器件的光致发光与电致发光特性。结果表明,
【机 构】
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天津大学理学院,齐鲁工业大学材料科学与工程学院,中国科学院半导体研究所材料重点实验室,烟台希尔德新材料有限公司
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采用化学浴沉积法在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnO纳米棒膜层,构建了无绝缘层和添加Alq3为绝缘层的两类ZnO发光器件,测试和比较了两类器件的光致发光与电致发光特性。结果表明,在ZnO和Alq3混合体系的PL谱中,观察到ZnO的380 nm发光减弱而Alq3的520 nm发光增强,这表明在ZnO的激子态和Alq3分子之间发生了能量转移。ZnO纳米棒的EL谱表现为随机激光,这主要是由于光在纳米棒内谐振,及纳米棒长短不一、阵列不整齐所致。加入Alq3后,器件的I-V曲线上出现了约为1.6 V的阈值电压,工作电压由30 V降为18 V,且器件的发光颜色由黄绿区移到蓝紫区。
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