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本文介绍了用谐振法测量脉冲电容器分布电感的基本原理和测试方法.经适当变换后,还可以测量电感线圈的分布电容.
谐振法测量脉冲电容器分布电感的原理和方法
【摘 要】
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本文介绍了用谐振法测量脉冲电容器分布电感的基本原理和测试方法.经适当变换后,还可以测量电感线圈的分布电容.
【机 构】
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中国科学院力学研究所
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1980年7期
【基金项目】
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其他文献
采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density functional theory)赝势平面波方法，对应力下Ru2Si3的电子结构和光学性质进行了理论计算和比较。计算结果表明: 随着正应力的逐渐增大，导带向高能方向移动，带隙Eg明显展宽; 随着负应力的逐渐增大，带隙缓慢减小并且始终为直接带隙。光学性质曲线随着负应力的不断减小至正应力的不断增大都向高能方向漂移。
本文以高纯Lu2O3、Er2O3为原料，使用自主设计、制造的自动等径导模炉，采用导模法(EFG)生长了25 mm×20 mm的7.82%(原子数分数)Er∶Lu2O3单晶，分凝系数为0.92，并探索了退火条件。X射线衍射仪(XRD)结果为纯相，X射线荧光光谱仪(XRF)结果证明杂质含量较低。利用吸收光谱计算在972 nm及1 535 nm附近的吸收截面，分别为3.24×10-21 cm2、8.43×10-21 cm2，半峰全宽(FWHM)分别为28.22 nm、27.31 nm。热学性能测试结果表明，在
GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长, 基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光效率降低, 而沿非极性面生长的GaN外延膜可以改善或消除极化效应导致的辐射复合效率降低和发光波长蓝移等问题。文章总结了非极性GaN外延膜的制备技术及研究进展, 包括平面外延技术和横向外延过生长技术, 指出开发非极性GaN自支撑衬底、发展非极性GaN的横向外延生长技术是制备低位错密度非极性GaN的研究方向。
报道了直接使用半导体激光器（LD）抽运Yb3 掺杂光纤，实现长波的激光发射。通过LD直接抽运Yb3 掺杂光纤，获得了1117 nm的激光，最大输出功率为208 mW，斜率效率为50.5%。输出光谱显示抽运光被全部吸收，放大的自发辐射（ASE）比激光小近50 dB。
采用激光技术在2 mm光斑尺寸下制备了不同Sc含量的AlSi10Mg合金,采用金相显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、显微硬度计和电子万能材料试验机等,研究了Sc含量对AlSi10Mg合金微观组织和力学性能的影响。结果表明:合金组织主要为α-Al相和Si相;随着Sc的质量分数由0增加至0.2%,AlSi10Mg合金组织中的α-Al枝晶细化,并逐渐向等轴晶转变,而Si相则由纤维状向颗粒状变化,合金的致密性、力学性能和热稳定性均显著提高;当Sc的质量分数为0.2%时,合金的致密度约为98.39%,合金中出现的稀土
以60Co为辐射源, 通过地面辐射模拟实验, 对掺铒和铒镱共掺两种光纤放大器的性能变化进行了对比分析。实验结果表明, 在总剂量为40 krad的低剂量轨道辐射环境中, 信号光通过这两种光纤放大器后, 其中心波长及半宽都没有发生显著变化, 这为光纤放大器能够应用于空间光通信提供了保证; 在辐照过程中掺铒光纤放大器的增益下降3.91 dB, 而铒镱共掺光纤放大器的增益下降17.60 dB, 表明镱离子的存在使得铒镱共掺光纤放大器的抗辐射性能要明显弱于掺铒光纤放大器, 这也为不同发射功率下的空间光通信系统在选择
本文阐述了似狭缝合成一步彩虹全息术缝宽表达式中总位移量的限制,讨论并实验演示了用双透镜成象系统增大物象放大率可变范围及形成全息原始象的改进光路,从而增加了该技术应用的灵活性.