铜-二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能

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以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu^(2+)–SiO2复合溶胶。采用循环伏安法研究了Cu^(2+)在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜。采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能。结果表明,控制电位在-0.24-0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu^+–SiO2和Cu–SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.9
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