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通过对溶液法金属诱导晶化多晶硅薄膜制备工艺的优化，制备出性能良好的P型掺杂多晶硅薄膜。厚度为50nm的MIC P^＋-Poly-Si薄膜的方块电阻可降低至400Q左右，其光学特性表现为在红光区域具有比较高的反射率和很小的吸收率，因此用它替代ITO用作红光OLED的阳极材料。由于此薄膜对可见光比较高的反射率和阴极铝对可见光的高反射性，使之形成了一定Q值的微腔效应。结果显示该器件的最大流明效率为5．88cd／A，比用ITO作阳极制备的OLED提高了57％。进一步优化器件结构，调整发光层在腔中的最佳位置，可以大