【摘 要】
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晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)由于更小的封装体积,更好的电性能,更强的散热能力,更低的封装成本,成为越来越多的芯片封装选择.对WLCSP封装后芯片进行老化处理,常常可以在Cu-S
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晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)由于更小的封装体积,更好的电性能,更强的散热能力,更低的封装成本,成为越来越多的芯片封装选择.对WLCSP封装后芯片进行老化处理,常常可以在Cu-Sn界面所形成的金属间化合物(IMC)层中发现密度较高的Kirk-endall空洞.本文将从Bumping(凸块)工艺中的电镀着手,研究通过电镀工艺调整抑制Kirkendall空洞的方法.在其他电镀条件不变的情况下分别使用1.5-5.5ASD的电流密度以及2.5~3.3mL/L整平剂含量的电镀条件进行铜电镀.WLCSP封装完后进行175℃72h的快速可靠性.使用扫描电子显微镜(SEM)观察Kirkendall空洞情况.结果发现,调整电镀Cu工艺的电流密度,降低整平剂的含量可以对Kirkendal+l空洞产生明显的抑制作用.
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