Kirkendall空洞相关论文
本文介绍了Au－Al键合系统的失效机理及其对器件可靠性的影响,并以具体实例说明了Au－Al键合系统生成金铝间化合物和Kirkendall(柯肯德......
近年来,随着电子元器件的微型化发展,通过焊点的电流密度大大提高,引发电迁移失效,造成焊点的力学性能显著恶化,降低电子元器件的......
晶圆片级芯片规模封装(WLCSP)由于更小的封装体积,更好的电性能,更强的散热能力,更低的封装成本,成为越来越多的芯片封装选择.对WL......
采用晶体相场法研究了二元合金形变过程中界面Kirkendall空洞的形貌演化和生长过程。研究表明，Kirkendall空洞优先在界面处形核，空洞......
无铅钎料Sn-3.5Ag/Cu焊点用于微电子封装电子器件的互连,随着电镀铜的使用,电镀铜中引入杂质,以及焊点尺寸减小,封装密度增大,产生......
期刊
采用二元合金晶体相场模型模拟研究了Sn/Cu互连体系Cu/Cu3Sn界面及金属间化合物层中Kirkendall空洞形成和形貌演化及长大过程,对Ki......
采用二元晶体相场模型研究了Kirkendall效应诱发的相界空洞的形成及扩展过程.模拟结果表明:对于取向差角较小的相界,空洞向原子迁......
金属微互连结构是集成电路(IC)系统和微电子封装中的重要组成部分。随着电子产品不断向微型化、多功能化和高可靠性方向发展,芯片......
硅钢的性能与所含硅含量存在密切关系,随着硅含量的升高电阻率和导磁率逐渐升高,而铁损逐渐降低。当硅含量达到6.5%时,硅钢将表现......
