磁控溅射的Ge／Si异质结构在退火过程中的Raman光谱研究

来源 :红外技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yunzh

【摘要】

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用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生

【作者】

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【机构】

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云南师范大学物理与电子信息学院,云南大学材料科学与工程系

【出处】

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红外技术

【发表日期】

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2002年2期

【关键词】

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用Raman光散射的方法,研究了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列异质材料在退火过程中的再生长情况,对不同的样品进行结构变化分析.实验结果显示:Ge/Si异质材料在退火过程中的再生长受生长态条件限制,异质材料的最初生长情况决定了其在退火处理后的结构形态.

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