【摘 要】
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报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构。视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等。利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测
【基金项目】
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国家九五重点科技攻关资助项目~~
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报道了在采用LPCVD法制备的富硅SiNx膜中发现的部分晶化的硅镶嵌微结构。视生长条件和工艺不同,该结构的尺度范围从数十到几百纳米不等。利用不同条件下生长的SiNx膜的应力测试结果和透射电镜观测结果,分析了富硅型SiNx膜的微结构的成因及其与膜内应力之间的相互影响,对富硅型SiNx膜的LPCVD生长工艺进行优化,大大降低了膜的张应力,无支撑成膜面积可达40mm×40mm。通过这一研究结果,实现了LPCVD可控制生长确定张应力的SiNx膜。
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