双极晶体管相关论文
伴随现代航天技术的快速发展以及微电子技术和小卫星技术的不断进步,航天用电子元器件的尺寸越来越小,封装结构越来越薄,表面贴装......
为了消除InP/InGaAs DHBT BC之间的导带势垒尖峰,抑制电流阻挡效应,我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构的InP DHBT。利用传......
利用硅功率双极晶体管(Si BJT)的小信号S参数及瞬态I-V特性的测量数据,本文提出建立一种BJT大信号分析模型及其内匹配电路设计方法......
本文介绍了国际、国内超高频InP基电子器件和电路的发展。重点介绍了我们制作成功的超高频InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结......
本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe......
在国产设备上,研究了用气体源MBE(GSMBE)生长异质结Si/SiGe/Si HBT材料及其掺杂控制工艺,生长出高品质HBT用Si/SiGe/Si材料,器件的......
在HBT外延生长SiGe基区时,通过掺入一定量(1×1020/cm3)的碳(C),有效抑制了SiGe HBT基区中高浓度硼(B)掺杂在器件热工艺过程中产生......
介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术，在工艺和器件仿真的基础上，采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术，应用于VPNP......
在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且纵向NPN管比PNP管严重.本文对引起......
制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道......
本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流......
本文根据国外的参考文献上的实验模型和实验结果,对目前国内较新的SOI/SDB双极型晶体管进行可靠性评价实验,通过对反偏集电极电流I......
半导体工艺技术ＷＤ９４５１７制作２５．４ｐｓＥＣＬ的深亚微米超自对准硅双极工艺＝Ｄｅｅｐｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｌｅｒｓｕｐｅｒｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄＳｉｂｉｐｏｌａｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗｉｔｈ２５．４ｐｓＥＣＬ［刊，英］／Ｋｏｎａｋａ，Ｓ．…／／Ｉ.........
本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管......
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其......
本文从ＩＧＢＴ发生闩锁的机理出发，推导出ＩＧＢＴ结构中两个寄生双极晶体管的共基极电流放大系数及ＮＰＮ管基区横向电阻值随电流密度变化的解析模型，并据......
从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达......
本文基于ＮＪＴ的开基区关断过程，提出了ＩＧＢＴ关断瞬态的电荷控制模型，正确描述了阴极处耗尽层扩展区效应及反注入少数载流予效应，推导出关断时电......
电力电子器件是一门新学科和新技术。其主要参数向三维（高压、高频、大电流）方向发展。其结构主要是ＭＯＳ控制与ＢＪＴ和晶闸管的结合和逐步实现......
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率5......
据《电子材料》1996年第9期上报道，最近，NEC公司为了适应数字、模拟混合电路的定制LSI化，采用0．6μm工艺技术，制造出了数字、模拟混合AS......
本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响t_(pd)的主要参数的温度特......
本文分析了硅双极晶体管电流增益在低温下减小的原因．通过优化设计，研制出在液氮温度下具有高增益的SiGe／SiHBT，并分析了其工作机理．
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研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对......
通过对电流增益温度模型的分析，表明发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是低温下双极晶体管电流增益衰变的主要原因，提出了用温度比例因......
在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷......
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管实验结果。在2GHz短脉冲工作条件下，该晶体管输出功率70W，增益8.5dB，集电极效率50％。
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叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要......
建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。由于该模型考虑了载流子费米统计分布、发射区注入和杂质电......
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
对ＧＡＴ结构晶体管中栅的引入和栅参数改变对击穿电压的影响进行了定量计算，报告了计算的结果，以及对结果的理论分析。计算采用数值分析方......
作为一种大功率四层半导体开关器件,可控硅已在交流可控整流、调压、开关等电力领域获得了广泛的应用,并在功率容量方面远远超过......
Ｓ波段低相位噪声ＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ陈新宇，林金庭，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２２ＴＮ４５４ＳＢａｎｄＬｗｏＰｈａｓｅＮｏｉｓｅＨＢＴＭＭＩＣＶＣＯ￥ＣｈｅｎＸｉｎｙｕ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ...
S-band low phase noise HBTMMICVCO Chen Xinyu, Lin Jinti......
本文介绍了当前微波固态功率放大器（ＳＳＰＡ）的性能，并对今后十年其远景性能做了预测。此预测结果对评价未来十年固态技术和真空技术之间的竞......
论述了微波固体功率放大器（ＳＳＰＡ）的现状，并预测了它们在以后１０年内的性能。所给出的结果对于评价固体技术和真空技术在未来１０年内的竞争是很有......
本文阐述了IGBT的短路特性以及怎样实现IGBT的过流保护系统。文中着重介绍了IGBT的允许短路时间与门极驱动信号的关系。
This art......
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
The experimental resul......
由ＩＧＢＴ器件组成的大功率桥式振荡电路的导通瞬间，如果驱动保护设置不合理，就会有一个十分尖锐的电流峰．结合ＩＧＢＴ器件结构，分析了造成该电流峰的......
文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成......
据《ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ》１９９９年第２期报道。日本东芝公司开发了横向Ｓｉ双极晶体管，用于第三代移动通信系统。该器件在厚度为４００ｎｍ的Ｓｉ氧化膜上形成厚度为１００ｎｍ单晶硅ＳＯＩ衬底，然......
这些新推出的二极管、三极管样品涵盖了适合小信号和大功率不同应用的各种器件 适合小功率通信机的变容二极管 为小功率通信设......
