基于CMOS工艺的横向多晶硅p~+p~-n~+结红外微测辐射热计

来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hyz012

【摘要】

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基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压

【作者】

：

陈二柱梁平治

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所

【出处】

：

红外与毫米波学报

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

微测辐射热计横向多晶硅p+p-n+结温度变化率 CMOS工艺

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基于多晶硅p-n结正向压降的温度特性,应用标准CMOS工艺,结合体硅微机械加工技术,研制成功非制冷红外微测辐射热计.本文详细分析了横向多晶硅p+p-n+结的温度特性,给出了正向压降温度变化率的理论表达式和实验测量值;并描述了微测辐射热计的设计思路和制作工艺.实验结果表明:在室温(284～253K)附近,横向多晶硅p+p-n+结正向压降的温度变化率为1.5mV/K;在3～5μm红外波段,微测辐射热计的电压响应率为5.7×103V/W,黑体探测率D*为1.2×108cm.Hz1/2.W-1

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