【摘 要】
：
观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格（SLs）样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光（PL）光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射（UVL）峰的起源及相关影响因素。实验发现：同一样品
【机 构】
：
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室
【基金项目】
：
基金项目：国家自然科学基金（60776042,60477011）,国家高技术研究发展计划（2007AA032403）,国家重点基础研究发展计划（2006CB921607）资助项目
论文部分内容阅读
观测了不同Mg含量的AlxGa1-xN/GaN超晶格（SLs）样品在不同退火温度和激发强度下的光致发光（PL）光谱。结合霍尔测量,分析了其紫外发射（UVL）峰的起源及相关影响因素。实验发现：同一样品在N2气氛中高温退火,UVL峰强随退火温度的升高,先增至饱和继而急剧下降,峰位红移;而在相同退火条件下,随着掺杂Mg的流量增加,样品空穴浓度下降,峰强减弱,峰位红移。结果表明：UVL峰是来自于易热分解的浅施主（VNH）与浅受主（MgGa）之间的跃迁,并受到深施主（MgGaVN）与浅受主（MgGa）自补偿效应的影
其他文献
研究了不同粒度的YAG∶Ce^3＋发光粉对LED亮度的影响,结果显示：粒度越大,封装后LED亮度越高;造成这种结果的主要原因是发光粉颗粒的晶格完整性不同。计算了发光粉在硅胶中的沉降
以不同方块电阻的ITO作为阳极，利用真空热蒸发的方法制备了双层结构有机电致发光器件ITO／TPD／Alq3／LiF／A1，定量研究了ITO阳极电阻对器件光电性能的影响。实验结果表明，具有较大阳极
合成了两种以钙为中心金属离子的有机电致发光材料2-（2-羟基苯基）苯并噻唑钙Ca（BTZ）2和2-（2-羟基苯基苯并噻唑）-（1，10-邻菲罗啉）合钙Ca（BTZ）2phen。通过红外光谱、紫外-可见光吸收光谱、
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射（RH-HEED）监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、
采用真空热蒸发镀膜的方法制备了酞菁铜（CuPc）和富勒烯（C60）构成的平面异质结结构光伏器件，并初步研究了CuPc薄膜生长速率对器件光伏性能的影响，我们发现以较大薄膜生长速率制备的
采用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄
考虑界面处导带弯曲，流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性，采用变分法以及简化相干势近似，研究了无限高势垒GaN／Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应，计算了杂质态结合
利用正向交流（ac）小信号方法对发光二极管（LED）的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和发光二极管p-n结进行分析,得到了发光二极管
氮杂卓化合物存在1H-,2H-,3H-和4H-共4个互变异构体,其中,2H-,3H-系统是最重要的。2H-氮杂卓母体化合物很不稳定,4位存在叔-丁基,并且环上含有丙硫基（PrS-）取代基的2H-氮杂卓,
利用等离子体辅助的分子束外延（P-MBE）技术，在蓝宝石衬底上制备了氮掺杂的P型ZnO薄膜。通过变温霍尔测量研究了空穴浓度和迁移率随温度的变化特性。对载流子浓度拟合的结果表明