负电容相关论文
随着半导体技术的快速发展,传统晶体管器件的特征尺寸不断微缩到达物理极限,实际发展速度已经落后于摩尔定律的预测速度,这对半导......
随着Si基CMOS工艺尺寸进入5nm工艺节点,尺寸的进一步缩小面临着短沟道效应、量子遂穿效应、大量悬挂键成为复合中心等问题,迫切需......
负电容铁电场效应晶体管是在传统MOS管基础上把传统的栅极氧化物材料换成铁电材料,其亚阈值斜率可以低至60 m V/dec,它是未来降低......
随着数据传输的速率不断提高,信道对数据的损耗愈发严重,采用传统的连续时间线性均衡器(CTLE)对信号的均衡补偿已无法抵消信道对信......
能源问题是21世纪以来人们关注的重点问题,因为能源是人类文明发展所需要的巨大推动力。随着时代的发展,新能源一直被开发与利用。......
基于回转器原理,提出了一种具有高线性度、高Q值和大电感值的新型高频有源电感.将一MOS管与回转器中的负跨导器并联,形成跨导退化......
采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容......
对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产......
对传统的电容-电压（C-V）、电流-电压（I-V）测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管（LED）正向特性的结果做了详细的对比分......
自从世界第一支锗晶体管和集成电路被发明以来,微电子技术奠定了信息时代的物质基础。集成电路通过微小化实现更低的成本、更高的......
聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物凭借优异的铁电特性、生物兼容性以及化学稳定性,在众多有机聚合物材料中脱颖而出,被广泛用于传感器、......
目前压电分流阻尼技术在振动和噪声领域的应用得到了广泛的关注.本文尝试将压电分流阻尼技术应用于水下吸声领域,以提高覆盖层的吸......
本文提出了基于负电容分支电路的主动-被动混合的控制方法对结构振动进行抑制，负电容在压电分支电路中的应用可以增大系统的机电耦......
在该文中,我们详尽地搜寻和考察了已有的有关负电容的几乎所有的报导,总结了已取得的结果和尚存在的不足,重点放在对各种测试方法......
随着发光二极管已经越来越广泛地应用于光通讯、显示、照明和指示等领域,对其特性的研究也显得越来越重要.对新的发光器件的特性研......
GaN基半导体发光器件具有广泛而重要的应用前景，是光电子领域科学研究的热点，也是产业发展的重点，近十年发展迅速。GaN基激光器已经取......
采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激......
将带有分流电路的压电片周期性地粘贴到薄板表面形成二维压电分流阵列结构,该结构不仅具有声子晶体的带隙特性,还可以通过分流电路......
对电容式压力传感器片上接口电路测试结果进行分析.针对电路中施密特触发器存在较大的寄生电容以及阈值电平较难调整的问题,提出了......
实验中发现负电容电路参数对负电容压电阻尼振动系统的振动幅值的衰减影响很大，推导了负电容压电阻尼振动系统的振动幅值随负电容电......
对于半主动分支电路压电阻尼技术,目前的研究主要集中在设计某种控制,以便对压电分支电路的电器元件进行转换或改变.负电容在电路......
利用正向交流（ac）小信号方法对GaN发光二极管的电容．电压特性进行测量，可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象。正向偏压越大，测试频率......
利用正向交流（ac）小信号方法对发光二极管（LED）的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象。通过对复合发光机理和......
提出了一种吸声新技术——半被动压电吸声技术，并对其进行了等效电路模型分析。该吸声结构采用在压电片电极两端串联负电容、电感和......
外接负电容的声子晶体具有可调的等效弹性模量.通过改变外接负电容的电容值,可改变等效介质的弹性模量。该文理论计算了等效弹性模......
在半主动压电分流阻尼技术中,采用不同形式的负电容分支电路时,系统具有不同的阻尼特性。将负电容半主动分支网络分为串联电容电阻......
采用旋涂法制备了基于铁电聚合物薄膜的Al/PVDF/SiO2/n-Si(MFIS)结构.通过测量MFIS结构的电容-频率特性和电容-电压特性,观察到负......
利用正向交流（AC）小信号方法对发光二极管（LED）的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现......
利用正向交流(a.c.)小信号方法对发光二极管(LEDs)的电容-电压特性进行了研究,观察到了发光二极管中的负电容现象,并且测试频率越......
在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍......
采用正向交流特性结合I-V特性的方法，检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系．首次发现，激光......
半导体二极管作为一种最基本的半导体器件,其也是极其重要的器件。它在生产的各个领域运用的较为广泛,因此长久以来,人们对半导体......
在半主动压电分流阻尼技术中，采用不同结构负电容分支电路时，系统具有不同的阻尼特性。将负电容半主动分支网络分为串联电容／电阻支路......
本文以Pt/TiO2/Nb：SrTiO3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,......
将电路中负电容可用来抵消压电片容抗、耗散能量的特性引入到弹性基础梁的振动控制研究中.基于Winkler基础梁建立了分支压电阻尼系......
SiC材料作为第三代半导体材料,相比于其他半导体材料具有更高的性能,可以制备性能稳定的耐高温和耐辐射探测器。封装作为探测器对......
通过在树脂梁上周期贴敷压电片,并连接由被动电阻-电感（RL）谐振分流电路和负电容（NC）电路串联而成的分流电路,构造了压电声子晶体梁结......
采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性．由此可以同时测量结电容和串联电阻，并能判断二极管是否有界面层......
随着晶体管尺寸急剧缩小,传统纳米器件已接近器件工作的物理极限,各种短沟道效应,栅氧隧穿和亚阈值摆幅无法进一步缩小等问题等越......
利用正向交流（ac）小信号方法对发光二极管（LED）的电容一电压特性进行测量，可以观察到发光二极管中的负电容现象。首次提出测量到的负电......
研究了硅NPN双极型晶体管（C2060）的中子和电子辐照效应。实验结果显示：经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容（NC......
In order to explain the phenomenon of negative capacitance(NC) in light emitting diodes LEDs,we present a new model base......
The experimental study on negative capacitance(NC) of various light-emitting diodes(LEDs) is presented.Experimental resu......
对于水泥水化诱导期，加速期和减速期的交流阻抗响应的拓扑结构进行了研究，水泥水化过程进入这一时期后均包含着2个平行的步骤，其中一......
为了控制超声速气流中壁板的颤振,在壁板上颤振变形较大的位置粘贴压电片,并连接负电容分流电路。利用负电容分流电路改变壁板弯曲......
近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心,面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求,基于主流后高K金属栅(......
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