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在不同的沉积温度下，用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明，随着沉积温度的升高，Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变，晶粒的尺寸增大；650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能。