射频反应磁控溅射相关论文
随着电子信息产业的迅速发展,要求电子元器件向小型化、高频化和集成化的方向发展,这便对作为电子元器件的核心即软磁材料提出了更......
为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO2靶能得到相同结构、相同性能的CeO2薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO2薄膜,通过......
利用射频反应磁控溅射法制备了大面积原子级平滑的TiN薄膜电极,针对衬底偏压对TiN电极性能与结构的影响进行了系统探究。采用四探......
刚玉结构Al-Cr-O薄膜是具有六方紧密堆垛结构的薄膜,与α-Al2O3薄膜性能类似,具有室温和高温硬度高、电绝缘性高、化学稳定性好、......
人工薄膜的出现是20世纪材料科学发展的重要标志。自70年代以来薄膜材料、薄膜科学、与薄膜技术一直是高新技术研究中最活跃的研究......
316L不锈钢具有较好的耐蚀性和优异的机械性能,被广泛应用于制备心脏支架,但裸体支架长期在人体中服役会出现在支架的表面形成血栓......
快离子导体（有时又称固体电解质）是指离子电导率接近有时甚至超过盐溶液和电解质溶液的一类固态材料。用作电致变色器件的快离子导体......
近年来，纳米多层膜由于其结构的人工可设计特点及其不同于单层膜的特殊性能而备受关注。1970年，Koehler首次提出两组元多层结构的强......
学位
该论文工作主要是利用射叔反应磁控溅射方法研究锐钛矿型和金红石二氧化钛薄膜的制备及其电学和光学性质,同时与程氏二级层理论进......
该文采用了射频反应磁控溅射方法,并选择Si和载波片两种不同衬底,在不同的氧气分压下制备了ZnO薄膜,利用多种分析手段对薄膜的晶体......
该论文工作主要是利用射频反应磁控溅射方法制备AIM薄膜,研究各溅射参数对薄膜生长的影响,测量AIN薄膜的场发射性能,寻找具备优良......
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪、Ranman光谱仪和原子力显微镜研究退火温度对薄膜晶体结构和表......
采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制......
Al2O3薄膜有着极其优良的光学、物理化学等性质,极大地引起了科研人员的研究兴趣.本文简述了Al2O3薄膜性能、应用领域以及制备方法......
采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热......
在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并......
采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化钨/多壁碳纳米管(WO3/MWCNTs)薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏元件.采用X射线衍射仪(XRD)、......
高次模薄膜体声波谐振器（HBAR）具有简单的半导体工艺特性和良好的高频特性能，在分析HBAR结构和工作模式的基础上，用MBVD模型在ADS上仿......
采用射频反应磁控溅射方法制备掺杂多壁碳纳米管（MWCNTs）的SnO2薄膜材料，并在此基础之上制作了NO2气敏传感器，使用扫描电子显微镜（SEM）和......
常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出（002）单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜，通过XRD分析发现溅射功率为80w、溅射气......
采用射频反应磁控溅射制备了高C轴取向的AIN薄膜．在分析Berg迟滞模型的基础上，提出并实现了一种以氮气流量控制反应进程、以阴极电压......
通过射频反应磁控溅射在玻璃基片上制备TiO2薄膜。采用X射线衍射仪和Raman光谱仪研究退火温度对薄膜晶体结构的影响;还探讨了磁控......
本文采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜。利用XRD研究了氮的参入对薄膜微结构的影响,结果......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N（10 nm）/Zr（20 nm）双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气......
采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜，并研究了HfOxNy栅介质薄膜的光学特性随淀积温度的变化而发生变化的规律．椭偏仪模拟......
采用射频反应磁控溅射法以不同的氧氩比在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对薄膜进行了退火处理;利用X射线衍射仪（XRD）和原子力显微镜（AFM......
为了研究溅射功率对二氧化锆薄膜结构及力学性能的影响,使用射频反应磁控溅射技术在常温下以玻璃为基底使用不同功率镀制了800 nm......
用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层，Cu／Zr-N／Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针......
采用射频（RF）反应磁控溅射技术在Si衬底上分别制备了具有（100）方向生长的ZnO薄膜和Ti掺杂ZnO薄膜（ZnO∶Ti）.利用X射线衍射（XRD）和光致荧光......
用电化学阳极氧化法腐蚀p型（100）的单晶硅片制成多孔硅（PS）衬底,然后采用射频反应磁控溅射技术在PS衬底上沉积了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄......
利用射频反应磁控溅射在(100)Si衬底上沉积了AlN薄膜。通过AFM,XPS,C-V及抗电测试研究了薄膜的表面形貌、成分、介电常数及抗电强......
在工作气压为1．9Pa的氩氧气混合气氛中，改变氩氧的流量比和基片温度，采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样，并......
以SiC陶瓷靶为靶材,Ar和CHF3为源气体,采用反应磁控溅射法在双面抛光的316L不锈钢基片上制备出了系列Si和F共掺杂的DLC∶F∶Si薄膜......
用射频反应磁控溅射法在不同溅射压强和氩氧比下制备了ZnO薄膜,通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和光致发光（PL）谱等研究了溅射压强和......
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结......
采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法，在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜．利用原子力显微镜，研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响，结果......
掺氮类金刚石薄膜（简称DLC：N）中含有一定数量的sp3C—N键，使其成为一种最新型的、具备氮化钛的化学稳定性和热稳定性等优点的理想超硬......
在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结......
采用射频反应磁控溅射法制备了HfOxNy栅介质薄膜，并研究了HfOxNy栅介质薄膜的化学特性和界面结构随淀积温度的变化而发生的变化规律......
采用射频反应磁控溅射工艺,以纯Zr为靶材,在WO3/ITO/Glass基片上采用不同工艺参数沉积ZrNx薄膜,用紫外-可见分光光度计、循环伏安......
在不同的沉积温度下，用射频反应磁控溅射的方法在Si（100）衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪（FPP）、AFM、XRD、AES研究......
采用射频反应磁控溅射技术在石英和Si衬底上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,样品的氧氩流量比分别为10：40,20：40,30：40,40：40。利用X......
在不同的衬底偏压下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了ZrN/Zr/ZrN堆栈结构的阻挡层。研究了Zr层的插入对ZrN......
Cu3N薄膜是近几年来研究的热点材料之一，在室温下相当稳定并且热分解温度较低，分解后生成的铜膜与分解前的氮化铜膜在红外及可见光区......
MAX相材料是一类纳米层状的三元化合物,它具有独特的晶体结构,化学结合特性也与众不同,这使它兼具金属和陶瓷的优异特性。Cr2AlC是......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，在室温下具有较大的激子束缚能(60meV)，能够在室温下紫外激光发射。在大气......
采用射频反应磁控溅射生长铟锡氧化物（ITO）薄膜，通过X射线衍射（XRD）、透射光谱、四探针法及原子力显微镜（AFM）研究了生长条件、快速热退火......
