两种脉冲对集成电路损伤的相关性研究

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在分析集成电路器件EMP损伤模式的基础上,给出了一种从器件热失效的角度出发对方波脉冲和ESD脉冲进行相关研究的途径:即当器件属于能量型损伤时,在一些失效机理下,可以根据器件在高压瞬态过应力作用下的功率和能量参量进行某种相关,这种相关是指可用能对器件产生相同热作用的方波脉冲来替代ESD脉冲。利用已经建立起来的器件损伤参数与脉冲参数之间的关系模型和器件的失效阈值模型,给出了这种相关的方法并讨论了这种方法在理论上的可行性以及它的适用性和局限性。
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